碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢，并通過車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10-12日，讓我們相聚中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，共同探索先進(jìn)陶瓷行業(yè)的萬千可能！2025年3月10日至12日上海國際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)

按化學(xué)成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日至12日上海國際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)“中國?國際先進(jìn)陶瓷展”覆蓋先進(jìn)陶瓷全產(chǎn)業(yè)鏈，云集中外杰出企業(yè)亮相展會(huì)，2025年3月10日上海世博館見！

我國碳化硅產(chǎn)業(yè)雖起步較晚，但近年來，在國家政策推動(dòng)和地方積極產(chǎn)業(yè)布局下，我國逐步形成了覆蓋襯底、外延、器件等環(huán)節(jié)的完整的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，并形成了以京津冀、長三角、珠三角等區(qū)域的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。其中，京津冀區(qū)域集中了清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所等相關(guān)科研院所，并擁有天科合達(dá)、同光晶體、泰科天潤、世紀(jì)金光等第三代半導(dǎo)體企業(yè)，初步形成較為完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈；長三角區(qū)域目前形成了以蘇州為中心的氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈集群和以上海為中心的碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)集群；珠三角區(qū)域作為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)資源集中地區(qū)，成立了多個(gè)研究基地，擁有包括東莞天域、東莞中鎵、亞迪半導(dǎo)體等在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！

外延生長技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進(jìn)微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯(cuò)、貫穿螺型位錯(cuò)（TSD）、貫穿刃型位錯(cuò)（TED）和基平面位錯(cuò)（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長缺陷，同時(shí)精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對應(yīng)不同耐壓等級的器件規(guī)格。通常，1?m的外延層對應(yīng)100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時(shí)，需要6?m左右的外延層；耐壓高于10000V時(shí)，外延層厚度需在100?m以上?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日上海世博展覽館！

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)頻率等方面具有較好的優(yōu)勢。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時(shí)仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開關(guān)頻率超過1kHz時(shí)，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開關(guān)損耗相比可降低多達(dá)80%，整體功率損耗降低66%。導(dǎo)通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導(dǎo)通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數(shù)量和占位面積。SiC MOSFET的工作結(jié)溫和熱穩(wěn)定性更高，可達(dá)200℃或更高，適用于汽車市場，其高耐溫性可降低系統(tǒng)散熱要求和導(dǎo)通電阻偏移?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！“2025年中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：粉末冶金及硬質(zhì)合金展、3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日至12日上海國際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)

聚焦前沿技術(shù)，展示品質(zhì)產(chǎn)品，2025年3月10日，來“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”，與行業(yè)精英面對面交流！2025年3月10日至12日上海國際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會(huì)降低熱循環(huán)能力。對于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用（例如混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?；澹ㄌ沾桑┖蛯?dǎo)體（銅）的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，會(huì)在熱循環(huán)期間對鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力，進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長，設(shè)計(jì)者找到了新方法來確保這些推動(dòng)極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長10倍或者更高，所以氮化硅基板能夠提供對于達(dá)到必要的可靠性要求至關(guān)重要的機(jī)械強(qiáng)度。陶瓷基板的壽命是由在不出現(xiàn)剝離和其它影響電路功能與**的故障的情況下，基板可以承受的熱循環(huán)重復(fù)次數(shù)來衡量的。該測試通常是通過從-55°C到125°C或者150°C對樣品進(jìn)行循環(huán)運(yùn)行來完成的。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日至12日上海國際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)