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江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司,專業(yè)從事電氣線路保護(hù)設(shè)備和電工電力元器件模塊的服務(wù)與銷售,具有豐富的熔斷器、電容器、IGBT模塊、二極管、可控硅、IC類銷售經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)公司。公司以代理分銷艾賽斯、英飛凌系列、賽米控系列,富士系列等模塊為主,同時(shí)經(jīng)營(yíng)銷售美國(guó)巴斯曼熔斷器、 西門子熔斷器、美爾森熔斷器、力特熔斷器等電氣保護(hù)。

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新疆整流橋模塊銷售 江蘇芯鉆時(shí)代電子供應(yīng) 江蘇芯鉆時(shí)代電子供應(yīng)

2025-01-18 00:36:44

假設(shè)其PCB板的實(shí)際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍,則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故,通過(guò)整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過(guò)殼體表面自然對(duì)流冷卻進(jìn)行散熱的熱阻()是通過(guò)引腳進(jìn)行散熱這種散熱途徑的熱阻()的。于是我們可以得出如下結(jié)論:在自然冷卻的情況下,整流橋的散熱主要是通過(guò)其引腳線(輸出引腳正負(fù)極)與PCB板的焊盤來(lái)進(jìn)行的。因此,在整流橋的損耗不大,并用自然冷卻方式進(jìn)行散熱時(shí),我們可以通過(guò)增加與整流橋焊接的PCB表面的銅覆蓋面積來(lái)改善其整流橋的散熱狀況。同時(shí),我們可以根據(jù)上述的兩條傳熱途徑得到整流橋內(nèi)二極管結(jié)溫到周圍環(huán)境間的總熱阻,即:其實(shí)這個(gè)熱阻也就是生產(chǎn)廠家在整流橋等元器件參數(shù)表中的所提供的結(jié)-環(huán)境的熱阻。并且在自然冷卻的情況,也只有該熱阻具有實(shí)在的參考價(jià)值,其它的諸如Rjc也沒有實(shí)在的計(jì)算依據(jù),這一點(diǎn)可以通過(guò)在強(qiáng)迫風(fēng)冷情況下的傳熱路徑的分析得出。折疊強(qiáng)迫風(fēng)冷卻當(dāng)整流橋等功率元器件的損耗較高時(shí)(>),采用自然冷卻的方式已經(jīng)不能滿足其散熱的需求,此時(shí)就必須采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方式來(lái)確保元器件的正常工作。采用強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí),可以分成兩種情況來(lái)考慮:a)整流橋不帶散熱器。

金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導(dǎo)電部件上),能實(shí)現(xiàn)電連接即可,不限于本實(shí)施例。需要說(shuō)明的是,所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實(shí)現(xiàn),不限于本實(shí)施例,任意可實(shí)現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可,在此不一一贅述。如圖1所示,在本實(shí)施例中,所述功率開關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地,所述功率開關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d,源極連接所述邏輯電路的采樣端口,柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào));所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口連接所述功率開關(guān)管的漏極,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd,漏極端口d連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實(shí)施例中,所述控制芯片12的底面為襯底,通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上,所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則,通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接;漏極端口d通過(guò)金屬引線連接所述漏極管腳drain;采樣端口cs通過(guò)金屬引線連接所述采樣管腳cs。

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